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研究人员称↑,从传统霍尔测量得出的已知多数载荷子密度开始♀△,他们可以知道多数和少数载荷子迁移率和密度随光强度的变化↑π。该团队将新技术命名为“载荷子分辨图像霍尔”(CRPH)测量♂。利用已知的光照强度∟∴♂,他们还可以确定载荷子的寿命?⌒。自发现霍尔效应以来∟,这种关系已隐藏了140年♀∵。

研究人员指出?⌒△,新发现和新技术有助于加快下一代半导体技术的发展∵,让我们获得更好的太阳能电池、光电设备以及用于人工智能技术的新材料和设备等□♂⊙。

科技日报北京10月14日电(记者刘霞)半导体是如今这个电子时代的基础∵,但半导体内的电子电荷还有很多秘密有待揭示〇,这限制了该领域的进一步发展π∟?。最近♂▽△,一个国际科研团队称↑,他们在解决这些已延续140年的物理学谜题上取得重大突破▽。他们研制出一种新技术〇☆,可获得更多有关半导体内电子电荷的信息♂⊿♂,有望推动半导体领域的进一步发展π?,使我们获得更好的光电设备等⊙↑。

与传统霍尔测量中仅获得3个参数相比?,新技术在每个测试光强度下最多可获得7个参数:包括电子和空穴的迁移率;在光下的载荷子密度、重组寿命、电子、空穴和双极性类型的扩散长度〇□。

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